半导体内载荷子特征参数增至7个

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  科技日报北京10月14日电(记者刘霞)半导体是如今这一 电子时代的基础,但半导体内的电子电荷还有什么都秘密有待揭示,这限制了该领域的进一步发展。最近,另另俩个国际科研团队称,有人在防止什么已延续140年的物理学谜题上取得重大突破。有人研制出五种生活新技术,可获得更多有关半导体内电子电荷的信息,有望推动半导体领域的进一步发展,使有人获得更好的光电设备等。

  为了真正理解半导体的物理性质,首先须要了解其内内外部载荷子的基本底部形态。1879年,美国物理学家埃德温·霍尔发现,磁场会偏转导体内载荷子的运动,偏转量可测为垂直于电荷流的电压(霍尔电压)。而且,霍尔电压可揭示半导体内载荷子的基本信息:是带负电的电子还是名为“空穴”的带正电的准粒子、载荷子在电场中的移动速率“迁移率”(μ)、在半导体内的密度(n)。此后,研究人员意识到可用光进行霍尔效应测量。

  但上述法子必须提供占多数的载荷子的信息,无法一同提供五种生活载荷子(多数和少数)的底部形态。而对于或多或少涉及光的应用,之类太阳能电池等,此类信息至关重要。

  据物理学家组织网13日报道,在最新研究中,来自美国IBM及韩国的科学家发现了另另俩个新公式和一项新技术,使有人能一同获取多数和少数载荷子的信息。

  研究人员称,从传统霍尔测量得出的已知多数载荷子密度现在现在开始 ,有人都还能不能 知道多数和少数载荷子迁移率和密度随光速率的变化。该团队将新技术命名为“载荷子分辨图像霍尔”(CRPH)测量。利用已知的光照速率,有人还都还能不能 选则载荷子的寿命。自发现霍尔效应以来,这一 关系已隐藏了140年。

  与传统霍尔测量中仅获得俩个参数相比,新技术在每个测试光速率下最多可获得7个参数:包括电子和空穴的迁移率;在光下的载荷子密度、重组寿命、电子、空穴和双极性类型的扩散长度。

  研究人员指出,新发现和新技术能够加快下一代半导体技术的发展,让有人获得更好的太阳能电池、光电设备以及用于人工智能技术的新材料和设备等。

[ 责编:肖春芳 ]

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